본 기술은 알킬기나 머캡토기 같은 유기 작용기를 도입한 실리카 입자를 주형으로 삼아 금속과 혼합한 뒤 400~1200℃ 저온 열환원과 산 에칭을 거치는 기술입니다. 이를 통해 실리콘 카바이드의 구조(단일, 복합체)와 형태(구형, 중공형, 래틀형)를 정밀하게 제어합니다.
종래의 애치슨법은 2000℃ 이상의 초고온 설비가 필요해 공정이 복잡하고 에너지 소모가 큰 문제가 있었습니다. 또한 외부 주형을 쓰는 중공형 및 래틀형 입자 제조 방식은 공정 단계가 많고 구조가 붕괴될 위험이 있었습니다.
본 기술은 유기 작용기가 부착된 실리카 입자를 직접 합성하고, 작용기 종류와 열환원 시간, 금속 열환원 전후의 열처리 조건을 독립적으로 제어하도록 구성됩니다. 그 결과 별도 주형 없이도 실리콘 카바이드 단일구조나 실리콘 및 탄소 복합체 구조, 중공형 또는 래틀형 입자를 효율적으로 얻습니다. 실리콘계 음극재의 부피 팽창 완충 소재와 내열 세라믹 필러 등에 적용될 수 있어, 고온 설비 투자 없이 입자 내부 빈 공간을 설계한 맞춤형 SiC 분말을 공급할 수 있습니다.
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