인듐-셀레나이드 화합물을 포함하는 반도체 박막, 그를 포함하는 박막 트랜지스터 및 강유전 메모리의 제조방법

열증발 증착과 어닐링으로 카파상을 형성하는 인듐-셀레나이드 반도체 박막

본 기술은 In2Se3 증착 소스를 열증발 증착으로 기판에 코팅하고 어닐링하여 카파상의 인듐-셀레나이드 화합물을 형성하는 반도체 박막 제조 기술입니다.

기존 인듐-셀레나이드 박막은 원하는 결정상을 선택적으로 형성하기 어려워 반도체 소자에 요구되는 특성을 안정적으로 확보하기가 쉽지 않았습니다.

본 기술은 열증발 증착과 어닐링으로 카파상을 형성함으로써 반도체 박막 소자에 적용되어 안정적인 결정상과 소자 특성을 확보할 수 있습니다.

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Key Features:

• In2Se3의 증착 소스를 열증발 증착 방법으로 기판 상에 증착하여 코팅층을 형성하는 단계
• 코팅층을 열처리로 어닐링하여 화학식으로 표시되는 어닐링된 인듐-셀레나이드 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 단계
• 어닐링된 인듐-셀레나이드 화합물이 카파상의 인듐-셀레나이드 화합물로 이루어져 형성되는 반도체 박막
• 열증발 증착과 어닐링 공정을 통해 카파상을 갖는 인듐-셀레나이드 반도체 박막을 제조하는 구성

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