신균주 아위느타리버섯 DDL01 및 그 재배방법

고압살균 배지와 다단 배양·발이로 재배하는 아위느타리버섯 재배방법

본 기술은 톱밥과 미강으로 함수율을 조정한 배지를 고압살균해 종균을 접종하고 전기·후기 배양과 균긁기, 발이, 생육 단계를 거쳐 아위느타리버섯 DDL01을 재배하는 방법 기술입니다.

아위느타리버섯을 안정적으로 재배하려면 배지 조성과 배양·발이 조건을 정밀하게 관리해야 하는데, 이를 균일하게 유지하기 어려운 문제가 있었습니다.

본 기술은 배지 함수율과 살균, 다단 배양·발이·생육 조건을 규정함으로써, 버섯 재배 공정에 적용되어 아위느타리버섯 DDL01을 안정적으로 생산할 수 있습니다.

‍

‍

Key Features:

• 톱밥과 미강을 교반 혼합하여 최종 배지 함수율이 68~70%로 조정된 배지제조 단계
• 제조된 배지를 120℃에서 60분간 고압살균한 후 종균을 접종하는 배지살균 및 접종 단계
• 접종된 종균을 전기배양과 후기배양의 두 단계로 나누어 온도·습도를 달리하며 배양하는 배양단계
• 균긁기 이후 전기발이단계와 후기발이단계를 거쳐 어린 버섯을 생육시키는 발이 형성 및 버섯생육단계

‍

본 특허는 아이피뱅크가 소유한 특허로, 특허 매입 시 사업화 지원 프로그램과 기술이전 및 사업화 자금보증 추천 제공을 받을 수 있으며, 또한 우수발명품 우선 구매 심사 시 가점 부여를 받을 수 있습니다.

‍