할라이드 페로브스카이트 기반 저항 스위칭 메모리 소자
본 기술은 하부 전극층, 다중층 저항 스위칭층, 상부 전극층으로 이루어진 할라이드 페로브스카이트 기반 저항 스위칭 메모리 소자와 그 제조 방법입니다.
할라이드 페로브스카이트 기반 저항 스위칭 메모리는 산화물 기반 대비 내구성·안정성 등 신뢰성 한계가 있었습니다.
본 기술은 다중층 저항 스위칭층에서 전도성 필라멘트의 형성·파괴를 제어해 신뢰성과 내구성을 향상시킵니다.
Key Features:
- 기판, 하부 전극층, 다중층 저항 스위칭층 및 상부 전극층을 포함하는 저항 스위칭 메모리 소자
- 저항 스위칭층은 전도성 필라멘트를 형성하는 금속이 도핑된 금속 도핑층을 포함
- 할라이드 페로브스카이트 물질을 포함하고 내부에서 전도성 필라멘트가 형성·파괴되는 전도성 필라멘트 형성층을 포함
- 금속 도핑층의 금속이 형성층으로 이동·이탈하며 전도성 필라멘트를 형성 또는 파괴
