본 기술은 금속촉매식각법(MACE)으로 만든 실리콘 나노와이어 표면에 무작위로 붙은 금속 전착물을 걷어낸 다음, 강산 희석액에 다시 담가 표면에 금속 입자를 고르게 석출시키는 코팅 기술입니다.
실리콘 나노와이어를 음극 활물질로 쓰면 고속 충방전 중 표면에 불안정한 고체 전해질 계면(SEI)이 형성되었습니다. 그 결과 비용량과 사이클 수명이 함께 떨어지는 문제가 있었습니다.
본 기술은 금속촉매식각 이후 질산 등으로 전착 금속을 식각 제거하고, 강산 희석액을 이용해 은(Ag) 등의 금속 입자를 나노와이어 표면에 균일하게 재석출시켜 전기전도성을 높이고 SEI 층 형성을 제어하도록 구성됩니다. 급속충전이 요구되는 전기차 배터리와 고출력 전동공구용 셀의 실리콘 음극에 적용될 수 있어 높은 전류 조건에서도 비용량 감소를 늦추는 효과를 기대할 수 있습니다.
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