본 기술은 리튬 금속 전극을 포함하는 코인셀 내부의 하부 케이스 바닥면과 전극 사이에 실록산계 또는 불소계 탄성 고분자 막을 배치하여, 셀 내부의 물리적 압력을 고르게 분산시키고 전극의 부피 변화를 수용하는 기술입니다.
코인셀 제조 과정에서는 금속 외장재 변형, 부품 간 정렬 불량, 전극 부피 변화 때문에 셀 내부 압력이 불균일해지는 문제가 있었습니다. 이러한 압력 편차는 리튬 덴드라이트의 불균일한 형성을 부추기고 셀 간 성능 편차와 재현성 저하로 이어지는 한계가 존재했습니다.
본 기술은 탄성계수 0.5~5MPa의 실록산계 또는 불소계 탄성 고분자 막을 코인셀 바닥면에 삽입하고, 막 표면에 금속 스트립으로 된 금속 영역을 형성해 통전성을 확보하며, 필요 시 플라즈마 처리로 계면 결착력을 강화하도록 구성됩니다. 리튬 금속 음극 소재 연구소와 전지 평가 기관의 표준 반쪽 셀 시험에 적용될 수 있어, 반복 측정 데이터의 셀 간 산포를 줄이고 소재 비교의 신뢰도를 끌어올립니다.
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