본 기술은 음극과 양극을 수평으로 나란히 놓고 그 사이에 비다공성 차단막을 세워, 브롬계 이온의 크로스오버를 물리적으로 막아 자가방전을 억제하는 아연-브롬 전지 구조 기술입니다.
종래의 수직형 셀 구조에서는 브롬계 이온이 확산되고 아연 금속 침전물이 떨어져 나오면서 전극 간 크로스오버가 일어나는 문제가 있었습니다. 그 결과 자가방전이 발생하고 전지 성능이 저하되는 한계가 존재했습니다.
본 기술은 음극과 양극을 수평 방향으로 나란히 배치하고 전극 두께와 폭보다 높은 비다공성 필름 차단막을 사이에 두어 이온의 이동 경로를 제어하며, 전극 표면에 도전성 접착제를 발라 저항을 낮추고 접촉력을 높이도록 구성됩니다. 태양광·풍력 발전 연계 ESS, 화재 위험을 꺼리는 건물용 비상 전원 등에 적용될 수 있어 장기간 대기 상태에서도 충전 에너지 손실이 적은 수계 저장 시스템을 구축할 수 있습니다.
N/A
