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IBL-26-1981

전극, 그를 포함하는 커패시터 및 그의 제조방법

등록일
2026-09-16
이차전지› 전지› 전극
메조기공 금속산화물을 질소 도핑 그래핀에 삽입한 커패시터용 전극

본 기술은 메조기공을 포함하는 금속산화물 나노입자를 질소로 도핑된 환원된 산화그래핀(rGO) 층 사이에 삽입하여 전극 활물질을 구성함으로써, 입자의 재응집을 방지하고 층 사이에 형성된 매크로 기공을 통해 물질 전달 효율을 극대화한 구조입니다.

기존 소듐-이온 이차전지 및 하이브리드 커패시터에서 음극 내 소듐-이온의 느린 확산 반응으로 인한 양극과의 속도 특성 불균형(Kinetics mismatch) 문제 및 활물질의 재응집으로 인한 성능 저하 문제가 있었습니다.

본 기술은 메조기공 금속산화물-실리카 입자를 극성 유기실란으로 개질하여 음전하 산화그래핀과 정전기적 결합을 유도하고, 열처리를 통해 그래핀의 환원 및 질소 도핑을 수행한 뒤 실리카를 에칭하여 제거함으로써 금속산화물 나노입자가 그래핀 층 사이에 분산된 나노복합체 구조를 형성함으로써, 이차전지의 품질과 생산성을 함께 끌어올리는 데 활용될 수 있습니다.

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Key Features:
  • 복수의 그래핀 층과 그 사이에 위치하고 메조기공을 포함하는 금속산화물 나노입자를 포함하는 나노복합체
  • 그래핀 층 사이에 매크로 기공을 형성하고 그래핀 층이 질소로 도핑되는 전극 활물질
  • 메조기공을 포함하는 금속산화물 나노입자를 질소 도핑 환원 산화그래핀 층 사이에 삽입하는 구성
  • 입자의 재응집을 방지하고 층 사이 매크로 기공을 통해 물질 전달 효율을 높이는 나노복합체 구조

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포항공과대학교 산학협력단
이진우 | 임은호 | 김민수
문서
출원일:
2016-09-05
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특허등록번호:
10-1901169
산업
이차전지
기술
에너지•배터리
화학
국가
Korea
패밀리 특허

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