본 기술은 배터리 등급 미만의 저품위 탄산리튬 내 마그네슘 함량을 1~2mol%로 제어하여 깎은 정팔면체(truncated octahedron) 형상의 입자를 형성함으로써, 반응기 내 침착을 방지하고 공정 효율 및 양극활물질의 전기화학적 성능(수명, 방전용량)을 개선함 기술입니다.
기존의 고순도 탄산리튬 사용에 따른 원가 부담, 탄산리튬 합성 공정 중 반응기 내부 및 임펠러에 발생하는 고착(침착) 현상, 그리고 종래 도핑법 대비 양극활물질의 수명 및 방전용량비의 한계 문제가 있었습니다.
본 기술은 황산마그네슘(1~2mol%)을 포함한 황산리튬 수용액에 탄산염을 반응시켜 깎은 정팔면체 형상의 탄산리튬을 제조하고, 이를 NCM 수산화물 전구체와 1:1.01~1.05 중량비로 혼합 및 800~900℃에서 소성하여 양극활물질을 합성함으로써, 리튬 이차전지 양극 소재 응용 제품의 부가가치를 높이는 데 활용될 수 있습니다.
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