본 기술은 실리콘 산화물(SiOx) 내 실리카(SiO2) 기지의 Si-O 결합 상태를 망목 수식체(Network Modifier)와 망목 형성체(Network Former) 또는 비망목 형성체(Non-network Former)를 사용하여 조절함으로써, 비가역 반응을 억제하고 초기 쿨롱 효율을 향상시키는 기술입니다.
실리콘 산화물 음극재의 비정질 SiO2 기지가 초기 충전 시 리튬과 반응하여 비가역적인 리튬 실리콘 산화물을 생성함으로써 초기 쿨롱 효율이 약 70% 수준으로 낮고, 고온 열처리를 통한 결정화 시 입성장 및 수명 저하가 발생하는 문제 문제가 있었습니다.
본 기술은 실리콘 산화물 전구체에 망목 수식체(알칼리 금속류 등)와 망목 형성체 또는 황(S) 기반의 비망목 형성체를 혼합하여 500~1,000℃에서 고상 합성함으로써, 이차전지 음극 소재에서 요구되는 특성을 안정적으로 확보하는 데 활용될 수 있습니다.
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