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IBL-26-1257

잔류용매 증발 조절을 통한 폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법

등록일
2026-10-28
저비점 용매 증기 하 초음파 후처리 기반 고정렬 폴리사이오펜 박막 제조법

본 기술은 기판에 코팅한 젖은 상태의 폴리사이오펜 박막을 밀봉 용기 안의 용매 증기 분위기에서 초음파 처리한 뒤 건조하는 자기조립 방법입니다. 용매 증기는 코팅 용매보다 비점이 낮은 별도 용매를 밀봉 용기에 넣고 증발시켜 조성합니다.

용액 공정으로 만든 공액 고분자 박막은 구조적 결함과 불규칙한 사슬 배열로 인해 전하 수송이 제한되는 문제가 있었습니다. 이를 개선하기 위한 열 어닐링이나 용매 어닐링은 최소 30분 이상이 소요되고 특정 재료에만 최적화가 가능하다는 한계가 존재했습니다.

본 기술은 클로로벤젠 코팅 박막을 메틸렌클로라이드 증기압 34~55 kPa 조건에서 수십 초간 초음파 처리해 고분자와 용매의 상호작용을 강화하고 잔류용매 증발 속도를 제어함으로써 사슬 얽힘을 풀고 재조직화를 촉진합니다. 유기 전계효과 트랜지스터의 활성층 형성 공정에 적용될 수 있어 장시간 어닐링 없이 1~2분 내 후처리로 전하 이동도를 끌어올리는 생산 효율을 얻을 수 있습니다.

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Key Features:
  • 기판 위에 클로로벤젠 용매의 폴리(3-헥실사이오펜) 용액을 스핀코팅하여 폴리사이오펜 박막을 형성하는 단계
  • 기판 위의 젖은 상태 폴리사이오펜 박막을 용매 증기가 있는 조건에서 초음파 처리한 뒤 건조하는 단계
  • 박막이 배치된 밀봉 용기에 코팅 용매보다 비점이 낮은 저비점 용매를 투입하고 증발시켜 용매 증기 조건을 조성하는 구성
  • 클로로벤젠 코팅 용매와 메틸렌클로라이드 저비점 용매를 사용하고 용매 증기압 34~55 kPa에서 60~90초 동안 42 kHz로 초음파 처리하는 단계

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본 발명은 교육부의 상분리가 조절된 MOF/공액고분자 혼성박막 기반의 고성능 기체센서 개발 지원을 통해 개발되었습니다.

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인천대학교
박영돈 | 김혜수
문서
출원일:
2017-03-13
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특허등록번호:
10-1936496
산업
반도체•장비
기술
반도체
화학
국가
Korea
패밀리 특허

N/A

제시 가격
정액가
6000000
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