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IBL-26-0609

저분자 물질 제거를 통한 고분자 박막의 전기적 성질의 향상 방법

등록일
2026-10-28
유기용매 침액으로 저분자를 제거해 전하 이동도를 높이는 고분자 박막 처리

본 기술은 디티에노실롤과 벤조티아디아졸이 교대 결합된 전도성 고분자로 만든 박막을 메틸렌 클로라이드·헥산·아세톤 중 하나 이상의 유기용매에 담가 박막 속 저분자 물질을 녹여 내는 방법입니다. 별도 장비 없이 1~15분 정도의 침액만으로 처리가 끝납니다.

유기박막트랜지스터용 고분자 박막에 남아 있는 저분자 물질은 독립적인 미세조직을 형성해 공액 길이를 줄이는 문제가 있었습니다. 저분자 사슬 말단이 결정성 패킹과 전하 운반체 수송을 방해하여 전하 이동도와 분자 정렬 향상을 가로막았습니다.

본 기술은 성막 후 유기용매 침액으로 저분자 성분만 선택적으로 제거하여 고분자 사슬의 분자 배열을 개선하고 박막의 전하 이동도를 높입니다. 공정이 단순하고 비용이 낮아 롤투롤 같은 용액 공정 라인에 후처리 단계로 쉽게 추가할 수 있습니다. 플렉서블 디스플레이 구동용 유기박막트랜지스터와 전계 효과 트랜지스터 제조에 적용될 수 있어 소재를 바꾸지 않고도 소자의 구동 성능을 끌어올릴 수 있습니다.

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Key Features:
  • 디티에노실롤과 벤조티아디아졸이 교대 결합된 전도성 고분자 폴리[(4,4-디도데실디티에노[3,2-b:2',3'-d]실롤)-2,6-디일-alt-(2,1,3-벤조티아디아졸)-4,7-디일]로 전하 수송용 고분자 박막을 제조하는 단계
  • 제조된 고분자 박막을 메틸렌 클로라이드, 헥산 및 아세톤 중 선택된 1종 이상의 유기용매에 침액시키는 단계
  • 유기용매 침액 시간을 1분 내지 15분 범위로 제한하여 고분자 박막을 처리하는 단계
  • 유기용매 침액 처리를 통해 전도성 고분자 박막의 전하 이동도를 증가시키는 방법

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본 발명은 교육과학기술부의 π-전자분자의 자기조립을 이용한 고성능 유기전자소자의 개발 지원을 통해 개발되었습니다.

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인천대학교
박영돈 | 이화성
문서
출원일:
2013-01-03
|
특허등록번호:
10-1455498
산업
반도체•장비
디스플레이
기술
신소재•재료
반도체
국가
Korea
패밀리 특허

N/A

제시 가격
정액가
3000000
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