본 기술은 향상모드 동작이 가능한 전계 효과 트랜지스터 소자에 관한 것입니다. 특히 베타-갈륨 산화물 채널과 강유전층을 이용한 향상모드 FET 소자 기술입니다.
기존 기술에서는 종래 기술과 비교하여 베타-산화갈륨 (β-Ga2O3)을 사용하는 전계 효과 트랜지스터에서 향상된 모드 동작을 구현하는 기술적 과제를 해결할 필요가 있었습니다. 이에 본 기술은 반 데르 발스 결합에 기초하여, 적어도 1.4 eV의 밴드 갭을 가지는 강유전성 반도체 층 상에 배열된 절연층, 및 베타-산화 갈륨 (β-Ga2O3)채널 층을 포함하는 구성을 제안합니다.
이에 따라 본 기술은 반도체 메사 구조와 드레인 전극 사이에 패시베이션 층을 형성함으로써 전계 효과 트랜지스터 소자의 항복 전압 특성을 개선할 수 있습니다. 반도체·장비·전자부품·첨단소재 분야에서 활용 가치가 있습니다.
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